住友電気工業／高品質SiCエピタキシャル基板「EpiEra(R)」を量産開始 SCM・製造拠点 2023.06.17 高品質SiCエピタキシャル基板「EpiEra(R)」を量産開始 当社は、エピタキシャル層に含まれる欠陥を極限まで低減したSiCパワーデバイス用エピタキシャル基板「EpiEra(R)」の生産・販売を開始しました。 パワーデバイスは電力制御を目的とした半導体デバイスで、電力、鉄道、自動車、家電などの様々な分野で使われており、近年は、より高効率でエネルギーロスの少ないパワーデバイスが求められています。 その中でもSiC（炭化ケイ素）は、パワーデバイスの低損失・高効率・小型化を可能にする点で最も注目されている材料のひとつです。当社はSiCパワーデバイスの基盤材料であり、その性能・信頼性に大きく影響を与えるSiCエピタキシャル基板の開発を進めてきました。 このたび当社は、長年培ってきた化合物半導体の技術に加え、高精度シミュレーションなどを取り入れた当社独自技術の「MPZ(R)（＊1）」を活用し、4インチ（100mm径）及び6インチ（150mm径）の高品質SiCエピタキシャル基板「EpiEra(R)」の製品化に成功し、量産を開始しました。 「EpiEra(R)」は表面欠陥（＊2）や基底面転位（＊3）が存在しない領域の面積率（DFA率（＊4））において、業界最高レベルの99%以上を達成しています。これにより、SiCパワーデバイスのさらなる品質の向上と安定化が見込まれます。 本製品は、2017年9月17日（日）～22日（金）に米国・ワシントンD.C.で開催されるSiC及び関連材料に関する国際会議「ICSCRM 2017」の併設展示会に出展予定です。 当社は、今後も高効率でエネルギーロスの少ないパワーデバイス製品の開発を進め、パワーエレクトロニクス産業の発展に貢献してまいります。 ※参考画像は添付の関連資料を参照 ＊1 MPZ:Multi-Parameter and Zone controlled SiC Growth Technologyの略。SiC成長過程に応じてシミュレーションも活用し、温度や圧力などの種々のパラメータを高精度に制御する当社独自のSiC成長技術。 ＊2 表面欠陥:エピタキシャル層の表面に現れる結晶欠陥で、デバイスの歩留りに影響を与える。 ＊3 基底面転位:SiC単結晶の基底面に発生する転位で、製品の信頼性に影響を与える。 ＊4 DFA率:表面欠陥や基底面転位が存在しない領域（Defect Free Area）の面積率。 以上
